Power Electronics

Трансформатор загоняется в отрицательную область тем больше, чем меньше Кзап. При Кзап > 0,45 с этим снаббером работать нельзя. Трансформатор переходит в положительную область. То есть, сам по себе этот факт не даёт форы на индукцию, если работать в полном диапазоне коэффициента заполнения.
Но, вообще говоря, выбор максимальной индукции зависит от потерь в магнитопроводе на рабочей частоте. Я использую магнитопроводы от EPCOS, и пользуюсь ихней программой. Задаю частоту, тип преобразователя, температуру перегрева провода и феррита - из собственных соображений, и после расчёта вижу, при какой индукции это всё должно происходить. Стараюсь выполнять рекомендации программы, насколько это получится. Пока проколов не было.


-Нет. Правильно только L4.
L5- индуктивность рассеивания.
L8- индуктивность намагничивания.
Модель трансформатора в любом учебнике представляется идеальным трансформатором (в схеме это L1/L2 с огромными индуктивностями, чтобы не портить картину), параллельно одной из обмоток включена индуктивность намагничивания со стороны этой обмотки (реального трансформатора - программа её считает по моим данным), а последовательно - индуктивность рассеивания, тоже со стороны этой обмотки (измеренная в реальном трансформаторе).

Multik
Спасибо за подробные объяснения. Некоторое время назад приобрел по случаю 2 комплекта ETD59 N97 EPCOS с целью использовать их в "двухтактном однотактнике", но после появления нового снаббера начал склоняться к мысли о возможности использовать один из сердечников в обычном "косом", но с рекуп. снаб. и за счет этого увеличить част. и разм. индукции и т. о. увеличить сеч. обмоток.
Поясните, если не затруднит, чем необходимо руководствоваться при подборе C1,C17 и L4, какую роль играют R6,C2, а так же какие параметры участвуют в выборе D3,D11,D9.

Для транзистора, чем больше C1,C17, тем лучше. Но тем больше гоняется реактивная энергия, и нагрев элементов, через которые она проходит. Оптимальным считаю выбор этих ёмкостей в пределах 0,15 - 0,22 нФ.
Лучшим критерием здесь являются результаты моделирования и интуиция разработчика.
А объективным критерием может служить максимальный КПД схемы. Максимум КПД приходится на 0,15 нФ.

От величины L4 зависит время перезарядки снабберных конденсаторов: чем она меньше, тем быстрее конденсаторы готовы к новому циклу переключения, а ток в импульсе, естесственно, больше.
Делать это время меньше, чем время нарастания тока в трансформаторе при включении, определяемое индуктивностью его рассеивания, бессмысленно. А если сделать их равными, то при любой длительности импульса переключение будет практически мягким. Может быть, это можно считать объективным критерием, но я всё- таки оглядывался бы на ток в импульсе перезаряда конденсаторов, и если он великоват, лучше увеличил бы индуктивность.

D3,D11,D9 должны выдерживать импульсный ток, который проходит через них в моменты выключения транзисторов (желательно определить в результате моделирования), напряжение питания, и быть чем быстрее, тем лучше для них и для транзисторов.

Multik
Поскольку моделирование мне недоступно, то приходится опираться на теоретические расчеты. Как Вы считаете, можно ли при выборе С1,С17 использовать методику расчета RCD цепочек описанную в FAQ:

Исходя из сказанного конденсатор С4(С5) должен шунтировать ключевой транзистор в течении времени спада тока. Например, для IRG4PC50U время спада tf =80nS(типовое значение). Если инвертор работает на индуктивную нагрузку (ток во время выключения практически не меняет своего значения) и максимальный ток равен 46.7А, то емкость конденсатора можно найти по формуле C=Iмакс*tf/Uп=46.7*80*10-9/220=0.017мкФ (считаем, что Uп под нагрузкой составляет 220В).?

И поясните, так же, какую роль играют R6,C2.
Спасибо.

Что-то непонятно. После появления SWCadIII моделирование стало доступно самым ленивым. Процесс моделирования в нём интуитивно понятен и работать с ним просто приятно. И если Вам лень моделировать, то не надо заставлять меня считать. Мне это тоже лень.


Без этих цепочек звон на индуктивности L4 не прекращается.


Я FAQов не читал, но считаю, что можно рассчитывать что угодно, по каким угодно формулам, если понимаешь, что делаешь, и можешь объяснить, каие процессы эти формулы описывают.


конденсатора С4 на схеме не нашёл.

"Multik"
Не сочтите за назойливость.

Дело в том, что электроникой я уже лет 10 не занимаюсь профессионально и, видимо, несколько отстал от жизни.
Пробовал Electronic Workbench Multisim v6.02, но так и не освоил.



Это цитата из FAQ, вместо С4(С5) следует читать C1,C17.
Исходя из сказанного конденсатор С4(С5) должен шунтировать ключевой транзистор в течении времени спада тока. Например, для IRG4PC50U время спада tf =80nS(типовое значение). Если инвертор работает на индуктивную нагрузку (ток во время выключения практически не меняет своего значения) и максимальный ток равен 46.7А, то емкость конденсатора можно найти по формуле C=Iмакс*tf/Uп=46.7*80*10-9/220=0.017мкФ (считаем, что Uп под нагрузкой составляет 220В).

Я тоже всякое пробовал, и не освоил, пока не нарвался на SWCadIII с подачи Балбеса на старом форуме. Фокус в том, что в нём осваивать ничего не надо. С первого раза включил, и всё сразу понятно.
А Electronic Workbench - вообще самая неудобная программа. После неё всякое желание молелировать пропадает.
Всё-таки настоятельно рекомендую попробовать. Сэкономите кучу времени и денег.
Сама программа лежит бесплатно вот здесь:
http://ltspice.linear.com/software/swcadiii.exe
а из красивой в полезную её превращает библиотека элементов уважаемого Балбеса, которая находится и иногда обновляется на его маленьком сайте:
http://www.forest2.homeip.net/Electronics/extra.rar
как его установить подробно объяснено вот тут в шестом посте:
http://set.ru/srs/board/read.cgi?user=5 ... =6&from=11
Там же рядом найдёте ответы на все вопросы.

Ну а тот расчёт, что вы привели, что показывает? Он же ничего не говорит о том, какие потери на транзисторе останутся после установки этого конденсатора. Тут ещё один расчёт нужен, и так до бесконечности. Разве что такие расчёты нужны для очистки совести. Нет, после моделирования даже и не хочется больше тыкаться носом во всякие расчёты, как слепой котёнок. Если Вам нравится, развлекайтесь сами, пожалуйста, или кому другому вопросы задавайте. А я за свою жизнь столько нарассчитывался, что и вспоминать не хочется.

Благодарю Вас, буду пробовать.

Если бы так просто можно было снижать мгновенную мощность на порядки.
Поставил DRC и кайфуй.
Щас.
Подумайте какой сдвиг может дать RC.

_________________
АНК

Кай-Фуй это хорошо.
И насчёт сдвига тонко подмечено.
Только стоит добавить-сдвиг при малых нагрузках,
когда демпферная ёмкость заряжается практически
только током намагничивания первички.
Однако, если контролируется ток намагничивания, то
на Фуй можно забить и наслаждаться Каем, даже
без внутреннего триггера в ШИМ контрроллере однотактника.
Отсюда мораль: без контроля тока намагничивания хорош только
тот демпфер, который заряжается и разряжается независимо от
тока нагрузки.
RCD демпфер конечно поможет получить Кай для уменьшения
мгнов. мощности и надёжности ключей, но, в то
же время, поможет получить Фуй с КПД.

Вы позволите взять на вооружение Вашу терминологию - терпеть не могу плоскостность вульгарной?

_________________
Время - лучший эксперт. ОНО может блестеть так же, но золото дольше.

Не вопрос.
И вопрос к Вам, а Вы не пробовали на
своём сварочнике демпфер с
рекуперацией?
Тепла поменьше, и при включении
ток через ключи нарастает с меньшей скоростью.

Не стоит противопоставлять расчёты моделированию, эти процедуры проводятся совместно! Упоминаемый расчёт позволит, по крайней мере, назначить начальные величины элементов. Там же приводится формула, позволяющая рассчитать потери в RCD - Pr=F*0.25*Uс2*С. Там же приводится формула позволяющая минимизировать суммарные потери в RCD и транзисторе C=0.22*Iмакс*tf/Uп.

С большим трудом и это осилил. Напробовался. Тогда был новичком в теме. И теперь не дока. Теперь уже если в следующем...

Я и говорю: